“偏置电路单元”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

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[发明专利]一种毫米波放大电路-CN202011236660.1在审
发明人：文晓敏;郝迦琛 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2020-11-09 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种毫米波放大电路，所述电路包括直流偏置单元和信号放大单元；所述直流偏置单元包括滤波电路、第一电压发生单元和第二电压发生单元，所述直流偏置单元接收电源电压，将所述电源电压转化为偏置电压并输出第一偏置电压、第二偏置电压、第三偏置电压和第四偏置电压；所述信号放大单元包括输入匹配电路、第一级信号放大单元、级间匹配电路、第二级信号放大单元和输出匹配电路；所述输入匹配电路的第二输入端接收射频信号；所述第一级信号放大单元接收所述第一偏置电压和第二偏置电压；所述第二级信号放大单元接收所述第三偏置电压和第四偏置电压，所述输出匹配电路的第六输出端输出放大后的射频信号。
一种毫米波放大电路

[发明专利]晶体管的偏置电路及电子装置-CN202211422200.7在审
发明人：郑爽爽;杨梦苏;刘昊宇;林良 -专利权人：苏州华太电子技术股份有限公司
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H03H7/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种晶体管的偏置电路及电子装置，晶体管的偏置电路包括晶体管、栅极偏置电路和漏极偏置电路；栅极偏置电路包括第一偏置单元和第二偏置单元，第一偏置单元和第二偏置单元用于对晶体管的栅极进行偏置，并对晶体管的栅极的视频带宽性能进行优化；漏极偏置电路包括第三偏置单元和第四偏置单元，第三偏置单元和第四偏置单元用于对晶体管的漏极进行偏置，并对晶体管的漏极的视频带宽性能进行优化。通过栅极偏置电路对晶体管的栅极进行偏置，并对晶体管的栅极的视频带宽性能进行优化，漏极偏置电路对晶体管的漏极进行偏置，并对晶体管的漏极的视频带宽性能进行优化，进而解决了现有技术中因去耦电容数值大而难以集成的问题
晶体管偏置电路电子装置

[发明专利]LDO模块及其电压产生电路-CN202111619520.7在审
发明人：陈宁;王红美;郑晓燕;赵强;肖潇;王祥莉 -专利权人：上海贝岭股份有限公司
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDO模块及其电压产生电路，该电压产生电路包括第一偏置单元及第二偏置单元；第一偏置单元包括至少四个MOS管及第一电阻；第二偏置单元包括至少两个MOS管及至少两个开关；第一偏置单元与第二偏置单元相连接；第一偏置单元通过第一偏置单元的至少四个MOS管和第一电阻基于自偏置生成偏置电流，并将偏置电流输出至第二偏置单元；第二偏置单元通过第二偏置单元的至少两个MOS管和至少两个开关基于偏置电流生成偏置电压，并将偏置电压输出至LDO模块的LDO电路，以为LDO电路提供基准电压。本发明减小了为LDO电路提供基准电压的电压产生电路的芯片面积、降低了成本，保证了基准电压的温度稳定性。
ldo 模块及其电压产生电路

[发明专利]一种偏置电路与射频功率放大器-CN202111258441.8在审
发明人：赖晓蕾;罗文;秦华;滕鑫;倪建兴 -专利权人：锐石创芯（深圳）科技有限公司
申请日： 2021-10-27 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种偏置电路与射频功率放大器，涉及电子电路技术领域。其中，偏置电路包括：信号源单元、阻抗控制单元以及偏置支路单元，信号源单元用于根据接收到的偏置控制信号输出第一偏置源电流、第二偏置源电流或第三偏置源电流，因为阻抗控制单元包括分压开关，且阻抗控制单元在根据不同的偏置源电流控制分压开关的不同通断状态，进而形成不同的目标支路，所以偏置支路单元在根据不同的偏置源电流导通或关断时，能够与不同的目标支路组成不同的偏置输出路径，通过不同的偏置输出路径输出大小不同的偏置电流，进而为放大电路提供合适的偏置电流，满足信号放大电路处于不同工作模式下的增益需求，拓宽了偏置电路的适用范围。
一种偏置电路射频功率放大器

[发明专利]一种偏置电路-CN202210378622.2在审
发明人：陈婷;王龙;曾祺琳;巫小虎;刘鸣凯 -专利权人：湖南国科微电子股份有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： G06F13/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种偏置电路，所述偏置电路包括第一电压源、控制单元和偏置单元，所述偏置单元与所述第一电压源、所述控制单元均连接，所述偏置单元包括预设数量的并联的负载电路，每个所述负载电路由至少一个通断电路组成；所述控制单元用于提供控制信号；所述偏置单元用于在所述控制信号的作用下，控制各个通断电路的通断状态，从而控制各个负载电路的电压，输出低于预设电压值的偏置电压。本申请的偏置电路能够兼容驱动电路为1.8V与3.3V的应用场合，提供了合适的静态工作点又保证了器件的耐高压。
一种偏置电路

[发明专利]使用可变电阻材料的非易失性存储装置-CN200810215428.2无效
发明人：朴茂熙;李光振;金杜应;金惠珍;赵佑荣 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-05-14 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：一种非易失性存储装置包括非易失性存储单元、读取电路和控制偏置生成电路。非易失性存储单元具有依赖于所存储的数据而变化的电阻值。读取电路通过接收控制偏置并基于控制偏置为非易失性存储单元提供读取偏置，来读取非易失性存储单元的电阻值。控制偏置生成电路接收输入偏置，基于输入偏置生成控制偏置，并提供控制偏置给读取电路。控制偏置对输入偏置的斜率小于1。
使用可变电阻材料非易失性存储装置

[发明专利]一种偏置电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块-CN201810343400.0在审
发明人：刘文永 -专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： G05F1/577 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种偏置电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块。其中，偏置电路包括：L级偏置单元；第i级偏置单元的输出端与第i‑1级偏置单元的输入端电连接；第L级偏置单元的输入端与电源电压输出端电连接；第1级偏置单元的输出端与偏置电路的输出端电连接；每级偏置单元包括串联连接的分压电阻和至少一个N型晶体管；每个N型晶体管的栅极与漏极电连接；任意一级偏置单元的输出电压与输入电压成1/2次幂的关系，L级偏置单元的设置，能够降低电源电压对偏置电路输出电压的影响。本发明实施例提供的技术方案，可解决现有GaAs PHEMT工艺的偏置电路输出的偏置电压易受电源电压影响的问题。
偏置单元偏置电路电源电压输出端电连接集成模块输出电压输出端输入端电连接分压电阻偏置电压输入电压电连接输入端次幂漏极输出

[实用新型]一种偏置电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块-CN201820545750.0有效
发明人：刘文永 -专利权人：江苏卓胜微电子股份有限公司
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： G05F1/577 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种偏置电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块。其中，偏置电路包括：L级偏置单元；第i级偏置单元的输出端与第i‑1级偏置单元的输入端电连接；第L级偏置单元的输入端与电源电压输出端电连接；第1级偏置单元的输出端与偏置电路的输出端电连接；每级偏置单元包括串联连接的分压电阻和至少一个N型晶体管；每个N型晶体管的栅极与漏极电连接；任意一级偏置单元的输出电压与输入电压成1/2次幂的关系，L级偏置单元的设置，能够降低电源电压对偏置电路输出电压的影响。本实用新型实施例提供的技术方案，可解决现有GaAs PHEMT工艺的偏置电路输出的偏置电压易受电源电压影响的问题。
偏置单元偏置电路电源电压输出端电连接本实用新型集成模块输出电压输出端输入端电连接分压电阻偏置电压输入电压电连接输入端次幂漏极输出

[发明专利]实现各种温度特性电流的偏置电路-CN202211226799.7在审
发明人：崔先宇 -专利权人：圣邦微电子（北京）股份有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：实现各种温度特性电流的偏置电路，通过将高温修调单元和低温修调单元分别并联于偏置单元，所述高温修调单元和低温修调单元共用偏置电压电路，能够进行温度补偿，有利于用更少面积的电路在偏置电路上实现零温偏置电流，
实现各种温度特性电流偏置电路

[实用新型]一种射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器-CN202020621377.X有效
发明人：赖晓蕾;倪建兴 -专利权人：锐磐微电子科技（上海）有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种射频功率放大器的偏置电路及射频功率放大器，该偏置电路包括第一偏置单元、第二偏置单元和RC反馈单元，所述第一偏置单元输出第一偏置电流，所述第二偏置单元输出第二偏置电流，所述第一偏置电流和所述第二偏置电流分别耦合至射频功率放大器的基极；所述第二偏置电流还经所述RC反馈单元耦合至射频功率放大器的集电极。本实用新型提供的偏置电路利用第一偏置单元和第二偏置单元分别向功率放大器的基极提供偏置电路，降低了射频功率放大器的基极‑集电极寄生电容Cbc，改善了射频功率放大器的AM‑AM失调，提升了线性度。本实用新型提供的偏置电路还包括RC反馈单元，通过RC反馈单元在改善射频功率放大器的AM‑AM失调，延缓功率放大器的增益压缩的同时，还提高了电路工作的稳定性。
一种射频功率放大器偏置电路

[发明专利]自带偏置电压电路的电调制激光器及其制作方法-CN202110807021.4有效
发明人：祝进田 -专利权人：杰创半导体（苏州）有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明公开了一种自带偏置电压电路的电调制激光器及其制作方法，该电调制激光器包括衬底以及依次生长于衬底上的缓冲层和器件结构，器件结构包括激光器单元、调制器单元和偏置电压电路单元，激光器单元和调制器单元均为脊型波导结构，偏置电压电路单元包括串联的第一二极管单元和第二二极管单元，偏置电压电路单元分别与所述激光器单元和调制器单元之间连接，激光器单元在通入工作电流后，偏置电压电路单元可为所述调制器单元提供反向偏置的电压降。本发明的自带偏置电压电路的电调制激光器单片集成了偏置电压电路，大大简化EML芯片的封装和使用。
偏置电压电路调制激光器及其制作方法

[发明专利]超低功耗带隙基准启动电路-CN202211500912.6在审
发明人：李晓宇;郭向阳 -专利权人：四川和芯微电子股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低功耗带隙基准启动电路，其，包括分别与电源电压连接的电流产生单元、第一偏置电压产生单元及第二偏置电压产生单元；所述电流产生单元用以产生nA级电流并产生所述第一偏置电压产生单元的启动电压，所述第一偏置电压产生单元根据所述电流产生单元提供的启动电压启动并生成第一偏置电压，将所述第一偏置电压输出至第二偏置电压产生单元；所述第二偏置电压产生单元以所述第一偏置电压作为启动电压启动并产生第二偏置电压；所述第一偏置电压与所述第二偏置电压均输出至带隙基准电路以启动所述带隙基准电路。本发明的超低功耗带隙基准启动电路能正常启动nA级的带隙基准电路，且启动电路的工作电流也为nA级，降低了功耗，节省了成本。
功耗基准启动电路

[实用新型]超低功耗带隙基准启动电路-CN202223159959.9有效
发明人：李晓宇;郭向阳 -专利权人：四川和芯微电子股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超低功耗带隙基准启动电路，其，包括分别与电源电压连接的电流产生单元、第一偏置电压产生单元及第二偏置电压产生单元；所述电流产生单元用以产生nA级电流并产生所述第一偏置电压产生单元的启动电压，所述第一偏置电压产生单元根据所述电流产生单元提供的启动电压启动并生成第一偏置电压，将所述第一偏置电压输出至第二偏置电压产生单元；所述第二偏置电压产生单元以所述第一偏置电压作为启动电压启动并产生第二偏置电压；所述第一偏置电压与所述第二偏置电压均输出至带隙基准电路以启动所述带隙基准电路。本实用新型的超低功耗带隙基准启动电路能正常启动nA级的带隙基准电路，且启动电路的工作电流也为nA级，降低了功耗，节省了成本。
功耗基准启动电路

[发明专利]一种基于GaAs HBT工艺的功率放大器偏置电路-CN202111244087.3在审
发明人：刘栋尧;曹亚鹏;宁殿华 -专利权人：苏州英嘉通半导体有限公司
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H03F1/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于GaAs HBT工艺的功率放大器偏置电路，包括温度补偿单元、标准电流镜偏置单元和多阶温度系数电压单元，所述标准电流镜偏置单元包括复制电路单元和输出电路单元，所述复制电路单元和所述输出电路单元内分别设置有第一HBT管HBT1和第三HBT管HBT3；所述多阶温度系数电压单元设置于所述复制电路单元内。本发明提供的偏置电路将多阶温度系数电压单元设置于标准电流镜偏置单元的复制电路单元内，简化了电路，有利于片上集成，同时改变电流镜结构，利用晶体管的电流放大作用，减小了第一HBT管HBT1的漏电流，提高了输出的偏置电流与输入的基准电流之间的传输精度，输出稳定的偏置电流。
一种基于 gaas hbt 工艺功率放大器偏置电路

[发明专利]一种石墨烯分布式放大器-CN201910778569.3在审
发明人：王向华 -专利权人：山东科技大学
申请日： 2019-08-22 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H03F3/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯分布式放大器，包括：同一衬底上设置的输入电路、若干级联的放大单元电路、输出电路、栅极偏置电路和漏极偏置电路，所述输入电路、漏极偏置电路分别连接第一级放大单元电路的栅极和漏级，最后一级放大单元电路的漏级和栅极分别连接输出电路和栅极偏置电路，信号通过所述输入电路进入放大单元电路，所述栅极偏置电路对输入信号进行调节，所述放大单元电路采用共源共栅结构对信号进行放大，所述输出电路输出级联放大后的信号，所述漏极偏置电路对输出信号进行调节。
放大单元电路偏置电路输出电路输入电路栅极偏置电路漏极放大分布式放大器共源共栅结构一级放大单元输出级联输出信号信号通过第一级石墨烯衬底级联

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